SPI NAND Flash

東芯半導體股份有限公司成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司，矢志成為前列的存儲芯片設計公司，服務全球客戶。作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產(chǎn)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。

SPI NAND Flash

單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，既節(jié)約了空間，又提升了穩(wěn)定性。產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，未來將繼續(xù)研發(fā)1xnm先進工藝制程。產(chǎn)品可提供3.3V /1.8V兩種電壓，具備WSON、BGA多種封裝形式，不僅能滿足常規(guī)應用場景，也使其在目前日益普及的由電池驅(qū)動的移動互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設備中保持低功耗，有效延長設備的待機時間，也更靈活地適用于不同應用場景。

規(guī)格：	Specification:
電壓/Voltage	1.8V，3.3V
溫度/Temperature	-40℃ — 85℃ / 105℃
容量/Density	512Mb/1Gb / 2Gb / 4Gb
封裝/Package	WSON 8*6，BGA 24
速度/Speed	83MHz，104MHz

type	Part Number	Density	Voltage	Speed(MHz/CLK)	Temp. Range	PKG Type	Datasheet
SPI NAND	DS35M12B-ID	512Mb	1.8V	83MHz	-40℃~85℃	WSON 6x5	Contact us
	DS35M12B-IB	512Mb		83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35M1GA-IB	1Gb		104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35M1GA-IW			104MHz		KGD	Contact us
	DS35M1GB-ID			83MHz		WSON 6x5	Contact us
	DS35M1GB-IB			83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q1GA-IB		3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q1GA-IW					KGD	Contact us
	DS35Q1GB-IB					WSON 8x6	Download
	DS35M2GA-IB	2Gb	1.8V			WSON 8x6	Download
	DS35M2GA-IC					BGA 24	Download
	DS35M2GA-IW					KGD	Contact us
	DS35M2GB-IB			83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-IB		3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-IC					BGA 24	Download
	DS35Q2GA-IW					KGD	Contact us
	DS35Q2GB-IB					WSON 8x6	Download
	DS35M4GM-IB	4Gb	1.8V	83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q4GM-IB	4Gb	3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-A2B	2Gb	3.3V	104Mhz	-40℃~105℃	WSON 8x6	Contact us
	DS35Q2GA-A2E	2Gb	3.3V	104Mhz	-40℃~105℃	BGA 24(5X5-1)	Contact us