Super Junction MOSFET

  利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，新潔能全新推出第三代超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品，在第二代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，同時改善了器件在系統(tǒng)中的EMI特性，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻(Rdson*A)降低27%，開關(guān)損耗降低13%，總能效提升1.5%。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計師提供500V-900V，1.8A-75A的多樣電壓-電流選擇，同時，也為您帶來SOP-8至TO-247的不同功率選擇，實(shí)現(xiàn)占用更少的電路板空間并提高可靠性。

  通過采用領(lǐng)先的單層外延工藝技術(shù)，第三代超結(jié)MOSFET當(dāng)中新增700V-800V的產(chǎn)品系列，為系統(tǒng)應(yīng)用提供更加充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。這些產(chǎn)品廣泛適宜于對系統(tǒng)效率有更高要求的照明應(yīng)用、各類電源、適配器以及智能手機(jī)、平板電腦充電器。

  此外，第三代超結(jié)推出快恢復(fù)系列產(chǎn)品(TF系列)，大幅提高了超結(jié)功率MOSFET的體二極管反向恢復(fù)能力，降低了體二極管反向恢復(fù)損耗，特別適用于半橋、全橋等橋式電路拓?fù)渲?，適宜于各類大功率電源、直流充電樁、汽車OBC等產(chǎn)品。

  產(chǎn)品特征：

  ·卓越的功率轉(zhuǎn)換效率

  ·極低的導(dǎo)通功率損耗源于極低的特征導(dǎo)通電阻(Ron*A)

  ·極低的開關(guān)功率損耗和驅(qū)動功率損耗源于極低的FOM(Ron*Qg)

  ·更小的封裝體積

  ·卓越的EAS能力(100%EAS測試)

  產(chǎn)品應(yīng)用：

  ·電腦、服務(wù)器的電源

  ·適配器(筆記本電腦，打印機(jī)等

  ·照明(HID/LED照明，工業(yè)照明，道路照明等

  ·消費(fèi)類電子產(chǎn)品(液晶電視，等離子電視等)