新一代(TrenchFSII)IGBT系列產(chǎn)品,基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)(TrenchFieldStop)理論,進一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu),采用了先進超薄片工藝制程(UltraThinWaferProcess),大幅提高了器件的功率密度,顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代(TrenchFS)IGBT,新一代(TrenchFSII)IGBT芯片面積更小,芯片厚度更薄;導(dǎo)通壓降(VCEsat)降低約0.3V,開關(guān)損耗降低20%以上;器件可耐工作溫度更高,使用壽命更長;且維持了較強的短路能力、較高的參數(shù)一致性;綜合性能達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。
針對不同的應(yīng)用需求,推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列,確保在特定應(yīng)用中,器件保持最佳工作狀態(tài),助您實現(xiàn)最理想的整機效率。
對于焊接、太陽能、UPS、電機驅(qū)動和家用電器等硬開關(guān)應(yīng)用,推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)產(chǎn)品系列,提供各種封裝形式,方便用戶靈活設(shè)計。
對于感應(yīng)加熱、太陽能等諧振開關(guān)應(yīng)用,推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列,具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢;與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝,方便應(yīng)用設(shè)計。
特點與優(yōu)勢:
- 低導(dǎo)通壓降(VCEsat)
- 低開關(guān)損耗(Ets)
- 短路能力10us
- 低電磁干擾
- 電參數(shù)重復(fù)性和一致性
- 高可靠性
- 高溫穩(wěn)定性
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用:
- 電機驅(qū)動
- 逆變焊機
- 不間斷電源UPS
- 變頻器
- 工業(yè)逆變器
- 太陽能功率轉(zhuǎn)換器
- 電磁感應(yīng)加熱
- 諧振開關(guān)應(yīng)用